1樓：匿名使用者
回答第一行
ddr 400如果是雙通道2條就相當於一條ddr2 800！兩條400它的頻率也是400這是工作頻率！是不變的！只有雙通道才能有相加的結果！
回答第二行
800就是800mhz 400就是400mhz怎麼會是800mhz
回答第三行
ddr2代記憶體最大就是800
ddr3代最低是1066 ddr3最大吞吐速度達到1.6gbps
idc**ddr3記憶體市場份額將從目前的29%到2011年達到72% 別的就不知道了
回答第四行
第三行不成立這個就更不能你這樣比了！如果是ddr2 800/2g和ddr3 1066/1g比效能好的還是三代！因為它的工作頻率高！！！
回答你到第五行
你這個公式哪來的
資料頻寬=（匯流排頻率×頻寬）/8
記憶體的資料頻寬是指：記憶體同時傳輸資料的位數！單位是：bit
記憶體的資料頻寬是通過記憶體的匯流排頻率計算出來的
這是我所學的希望能幫上你
留個qq給你互相交流
200876109 200976109
2樓：
2條ddr400的不相當於1條ddr2 800的，ddr2傳輸速度實際是ddr的兩倍，不管是多大的。
如果2條ddr 400組成雙通道，理論上是1條ddr 400的兩倍。
傳輸速率就是記憶體頻寬。
容量越大，它的空間就越大，頻率越高，它的傳輸速度就越快，當然還要和主機板cpu匹配。
如ddr2 800：800*32*8/8＝51200m/s
記憶體電壓頻率問題，高手請進！
3樓：匿名使用者
樓上的瓦片腦殼，你純粹是亂說。 首先要玩記憶體超頻，你要了解你的記憶體條用的是什麼顆粒。部分廠家的記憶體顆粒對電壓比較敏感，微微加壓既可上到很高的頻率，比如爾必達。
大部分顆粒必須加大電壓才能超，比如海力士。 1.65v-1.
85v這個電壓屬於安全電壓，跟超不超頻沒關係。正常情況下，加到2.2v都沒問題，只要解決好機箱內散熱既可。
另外，ddr3記憶體超頻率的意義不大，因為ddr3本身提供的頻寬就過剩了。但是因為ddr3比ddr2的延遲要高，所以提公升頻率所帶來的效能提公升，和為了達到高頻率所提高的延遲效能相抵了。你不如加點電壓，直接把記憶體週期改低，這樣提公升的效能還大一些
4樓：匿名使用者
電壓跟頻率沒有直接關係，對記憶體加電壓，是為了提高超頻後記憶體的穩定性而設定的，但是相對的電壓越高危險性越大，發熱量越大，對記憶體加壓需要謹慎，當且僅當記憶體成為超頻的瓶勁的時候才加
化學反應速率問題，化學反應速率的問題。
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問個有關化學反應速率的問題
老師的話有點不恰當。對於大理石與鹽酸的反應，改變溫度 改變鹽酸的濃度，反應速率變化比較明顯。改變固體物質的表面積，如將塊狀變為粉末狀，由於面積增大很多，速率改變明顯，如果僅僅增加幾塊大理石，面積增大不很顯著，速率增大也就不很明顯了。你的想法是對的，理論上再丟入更多的大理石，反應速率應加快。你思考問題...
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虛擬記憶體的問題 虛擬記憶體問題。
能起到作用，虛擬記憶體是整個作業系統通用的。並不是這樣的。虛似記憶體作用是當物理記憶體用完的時候系統就會呼叫部分硬碟容量當臨時記憶體，所以並不是你所想的那樣。一般都建議把虛似記憶體設在c盤以外可用空間較多的盤裡。虛擬記憶體可以加快計算機的執行速度 但是效果不是很明顯 總的來說 有比沒有是好很多 最好...