1樓：匿名使用者
沒有什麼定律吧，至少在高中階段沒有學過，不知道在大學的物理系會不會有。光電效應就是用一種頻率很高的光（可能不是可見光，就是用肉眼看不到的光）照射到一種金屬上，可以使這種金屬的電子「跑掉」。（前提是這種光的頻率大於該金屬的極限頻率，小學可能不懂，因為這是概念性的知識，不好用什麼通俗的話來講）
2樓：匿名使用者
金屬及其化合物在電磁輻射照射下發射電子的現象稱為光電效應， 可以說是光照金屬他就放電。
3樓：匿名使用者
用一束單色光照一塊擦亮的金屬板，金屬板會有電子飛出從而帶上正電，此為光電效應。
什麼是光電效應
4樓：葉北殤
光電效應是乙個很重要而神奇的現象，簡單來說，具體指在一定頻率光子的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，從能量轉化的角度來看，這是乙個光生電，光能轉化為電能的過程。
光電效應的公式：hv=ek+w。
其中，hv是光頻率為v的光子所帶有的能量，h為蒲朗克常量，v是光子的頻率，ek是電子的最大初動能，w是被激發物質的逸出功。
一、光電效應的基本性質。
1、每一種金屬在產生光電效應時都存在極限頻率，或稱截止頻率，即照射光的頻率不能低於某一臨界值。相應的波長被稱做極限波長，或稱紅限波長，當入射光的頻率低於極限頻率時，無論多強的光都無法使電子逸出。
2、光電效應中產生的光電子的速度與光的頻率有關，而與光強無關。
3、光電效應的瞬時性。實驗發現，即幾乎在照到金屬時立即產生光電流，響應時間不超過十的負九次方秒( 1ns )。
4、入射光的強度只影響光電流的強弱，即只影響在單位時間單位面積內逸出的光電子數目。
二、光電效應的逸出功。
逸出功指的是，光照射金屬時，電子從金屬表面逃逸必須要克服束縛而做的功。
常用單位是電子伏特ev，金屬材料的逸出功不但與材料的性質有關，還與金屬表面的狀態有關，在金屬表面塗覆不同的材料可以改變金屬逸出功的大小。當外界的光能量低於逸出功時，不會發生光電效應。
三、理解光電效應需注意的幾個地方。
1、體現的是粒子性。
2、光電效應的發生條件是光子頻率必須大於等於截止頻率，即光子能量要夠大。
3、光電效應發生時間極短，沒有滯後。
4、乙個光子對應乙個電子，激發出來的叫光電子。
5、光的強度增加，指的是單位時間內的光子個數增加。光強的增加會增加電流的大小，不會增加電子的初動能。
5樓：可愛的大婕妤
光電效應是物理學中乙個重要而神奇的現象。在高於某特定頻率的電磁波照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電。
光電現象由德國物理學家赫茲於1887年發現，而正確的解釋為愛因斯坦所提出。科學家們在研究光電效應的過程中，物理學者對光子的量子性質有了更加深入的了解，這對波粒二象性概念的提出有重大影響。
定律影響。光電效應現象是赫茲在做證實麥克斯韋的電磁理論的火花放電實驗時偶然發現的，而這一現象卻成了突破麥克斯韋電磁理論的乙個重要證據。
愛因斯坦在研究光電效應時給出的光量子解釋不僅推廣了蒲朗克的量子理論，證明波粒二象性不只是能量才具有，光輻射本身也是量子化的，同時為唯物辯證法的對立統一規律提供了自然科學證據，具有不可估量的哲學意義。
這一理論還為波爾的原子理論和德布羅意物質波理論奠定了基礎。
密立根的定量實驗研究不僅從實驗角度為光量子理論進行了證明，同時也為波爾原子理論提供了證據。
6樓：王珂
光照射到金屬上，引起物質的電性質發生變化。這類光變致電的現象被人們統稱為光電效應。
光電效應分為光電子發射、光電導效應和阻擋層光電效應，又稱光生伏特效應。前一種現象發生在物體表面，又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部，稱為內光電效應。
按照粒子說，光是由乙份乙份不連續的光子組成，當某一光子照射到對光靈敏的物質(如硒)上時，它的能量可以被該物質中的某個電子全部吸收。
電子吸收光子的能量後，動能立刻增加；如果動能增大到足以克服原子核對它的引力，就能在十億分之一秒時間內飛逸出金屬表面，成為光電子，形成光電流。
單位時間內，入射光子的數量愈大，飛逸出的光電子就愈多，光電流也就愈強，這種由光能變成電能自動放電的現象，就叫光電效應。
7樓：匿名使用者
光電效應：當光束照射在。
金屬表面時，使電子從金屬中脫出的現象。
光束中存在光子，金屬中存在電子，當光束照射在金屬表面的時候，自然光子也就打在了電子上面。
分兩種情況：即內光電效應和外光電效應。
1、外光電效應。
定義：外光電效應是指物質吸收光子並激發出自由電子的行為即電子逸出金屬。例如光電管。
2、內光電效應。
光照射到半導體或絕緣體的表面時，使物體內部的受束縛電子受到激發，從而使物體的導電性能改變。這就稱為內光電效應。
內光電效應還分為光電導效應和光生伏特效應。
（1）光電導效應：當入射光子射入到半導體表面時，半導體吸收入射光子在內部激發出導電的載流子，使其自生電導增大。
（2）光生伏特效應：當一定波長的光照射非均勻半導體，由於光生載流子的運動所造成的電荷積累，半導體內部產生電勢差即光生伏特。
8樓：匿名使用者
光電效應是指當光線照射在。
金屬表面時，金屬中有電子逸出的現象。
光電效應的公式：hv=ek+w；其中，hv是光頻率為v的光子所帶有的能量，h為蒲朗克常量，v是光子的頻率；ek是電子的最大初動能；w是被激發物質的逸出功。
光電效應可分為以下三種 ：
一、外光電效應指在光的照射下材料中的電子逸出表面的現象。光電管及光電倍增管均屬這一類。它們的光電發射極即光明極就是用具有這種特性的材料製造的。
二、內光電效應指在光的照射下材料的電阻率發生改變的現象。光敏電阻即屬此類。
三、光生伏特效應利用光勢壘效應光勢壘效應指在光的照射下物體內部產生一定方向的電勢。光電池是基於光生伏特效應製成的是自發電式有源器件。
什麼是光電效應？
光電效應的定律定義
光電效應的定律影響
光電效應是怎麼發現的？
光電效應有哪些規律？愛因斯坦光電效應方程的物理意義是什麼
9樓：情馨飛
一 、光電效應有哪些規律？
（一)反常光生伏特效應：
光生伏特效應。
一般光生電壓不會超過vg=eg/e,但某些薄膜型半導體被強白光照射會出現比vg高的多的光生電壓，稱反常光生伏特效應。（已觀察到5000v的光生電壓）
70年代又發現光鐵電體的反常光生伏特效應（apv）可產生1000v到100000v的電壓，且只出現在晶體自發極化方向上，光生電壓：v=(jc/(σd+△σl))l
(二)貝克勒爾效應：
將兩個同樣的電極浸在電解液中，其中乙個被光照射，則在兩電極間產生電位差，稱為貝克勒爾效應。
（有可能模仿光合作用製成高效率的太陽能電池）
(三)光子牽引效應：
當一束光子能量不足以引起電子-空穴產生的雷射照射在樣本上，可在光束方向上於樣本兩端建立電勢差vl，其大小與光功率成正比，稱為光子牽引效應。
(四)俄歇效應（1925年法國人俄歇）
用高能光子或電子從原子內層打出電子，同時產生確定能量的電子（俄歇電子），使原子、分子稱為高階離子的現象稱為俄歇效應。
應用：俄歇電子能譜儀用於表面分析，可辨別不同分子的「指紋」。
光電效應。(五)光電流效應（1927年潘寧）
放電管兩級間有光致電壓（電流）變化稱為光電流效應。
（1）：低壓氣體可以放電（約100pa的惰性氣體）
（2）：空間電荷效應與輝光放電。
二、愛因斯坦光電效應方程的物理意義是什麼。
e=hv-w
一束光打到一塊金屬上，光的；頻率是v ,我們知道 hv 是乙個光子的能量，即這束光的最小的能量，金屬中電子要擺脫原子核的束縛飛出金屬表面就需要吸收能量，及吸收乙個光子，但是如果光子的能量不足以讓電子飛出金屬表面，電子式飛不出來的，我們就沒看到有光電子。若是能量大於所需能量（即逸出功w）,就可以發生光電效應（更確切的說是外光電效應，還有乙個就是內光電效應，即吸收了光子發生躍遷，沒有脫離金屬）,並且多餘的能量轉化為光電子的動能，即e
10樓：
愛因斯坦為解釋光電效應現象，提出了光子說，空間傳播的光是不會連續的，是乙份乙份的，每乙份叫做乙個光子，每個光子的能量為e=hv。而愛因斯坦光電效應方程：光電子吸收光子的能量後，一部分消耗於克服電子逸出的功hv，另一部分轉換為電子動能，由能量定律可知：
hv= w
11樓：匿名使用者
一定頻率的光，其光能可以轉換成電子的勢能精 銳。
12樓：匿名使用者
意義是對光的波粒二象性的影響 規律高中課本上有。