化學位移是怎樣產生的 有哪些因素影響化學位移

時間 2022-12-15 00:10:11

1樓:網友

您好,知道趣味化學團隊為您答疑解惑:

化學位移的產生源於不同的原子核(比如有機化學中的氫質子)在不同的化學環境下(所謂不同的化學環境指的是不"完全相同")能在核磁共振實驗檢測中檢測出不同的吸收峰,而所謂的吸收峰產生的原因在於不同環境下的氫質子受到的遮蔽效應不同(不知道遮蔽效應?猛戳這裡:http:

htm),簡單地講就是激發不同環境下的氫原子所需要的能量高低不同。

綜上所屬,影響化學位移大小的本質原因在於能夠激發氫原子所需最低能量的不同,凡是能夠改變激發最低能量大小的因素都可以影響化學位移,因此,比如像空間化學環境(周圍有哪些原子、分子和基團等)、溶液環境(質子溶劑或是費質子溶劑?極性?)、電磁環境等均是影響化學環境的重要因素。

其中化學空間環境的不同是最主要因素,經常被用來測定有機化學物質的結構(通過測定不同化學環境的氫質子的數量,能排除某些可疑的異構體,從而得到更真實的測量結果)。

化學趣味化學團隊,祝您學習開心,生活愉快!

2樓:匿名使用者

化學位移(chemical shift)即是原子核如質子由於化學環境所引起的核磁共振訊號位置的變化。

你可以到百科查詢「化學位移」

影響化學位移的因素有哪些?

3樓:誰是我的小公舉

化學位移:產生共振吸收峰的位移。

在有機化合物中,處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子雲密度不同,導致共振頻率有差異,即產生共振吸收峰的位移,稱為化學位移。

影響因素包括以下:

1. 電負性。

2. 各向異性效應。

3. 氫鍵。

4. 溶劑效應。

5. 范德華效應。

產生原因:核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為遮蔽效應。核周圍的電子遮蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子雲密度越大,遮蔽效應也越大,從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。

4樓:sunny佳爺

外部因素來說, 氘代溶劑對化學位移有一定影響, 如用氘代氯仿和氘代dmso會導致同一h或c 的化學位移有變化, 但不是很大。影響化學位移的主要因素是所測元素周圍的化學環境。 例如烯烴上的h或c的化學位移比飽和烷烴的h或c的化學位移要大的多, 即在低場出現。

化學位移是nmr(核磁共振波譜)的術語。 表徵在不同化學環境下的不同 h-1, c-13, p-31, n-15等元素在波譜上出現的位置。

1950年,w. g. proctor 和當時旅美學者虞福春研究硝酸銨的14n nmr時,發現硝酸銨的共振譜線為兩條。

顯然,這兩條譜線對應硝酸銨中的銨離子和硝酸根離子,即核磁共振訊號可反映同一種核的不同化學位移。有機化合物中的質子與獨立的質子不同,它的周圍還有電子,在電子的影響下,有機化合物中質子的核磁共振訊號的位置與獨立的質子不同。化學位移(chemical shift)既是原子核如質子由於化學環境所引起的核磁共振訊號位置的變化。

5樓:墨陌沫默漠末

化學位移是因原子內層電子結合能的變化而引起電子能譜圖上譜峰位置的移動。不同的化學環境主要指原子價態的變化、與不同電食性的原子或原子團相結合等。這些因素會造成原子核內電荷和核外電荷的分布發生變化,使電子結合能改變零點幾至十幾個電子伏特,從而使譜峰位置變化。

在電子能譜分析中,常用來研究原子的化學成鍵及分子結構等。

(1)取代基的誘導效應和共軛效應;

(2)各向異性效應;

(3)氫鍵和溶劑效應。

化學位移是分析分子中各類氫原子所處位置的重要依據。δ值越大,表示遮蔽作用越小,吸收峰出現在低場; δ值越小,表示遮蔽作用越大,吸收峰出現在高場。

6樓:匿名使用者

化學位移是核磁共振中的一種術語,是化學環境所引起的核磁共振訊號位置的變化,具體是用數字來進行表達(相對的,通常使用四甲基矽烷作為基準)。如果你是大學生,有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解,核磁共振是化合物結構解析的常用手段。

影響因素可以表示為。

內因:有吸電子基團的向低場移動(因為遮蔽作用減少,弛豫所需的外磁場強度可以不用很高);共軛效應的向低場移動(如苯環上的h向低場移動);還有就是各向異構引起的,比如苯環的上方空間(不是苯環上)的h向高產移動,三鍵的鍵方向的向高產移動,雙建上方的h向高產移動。這些有機化學的課本上都有,注意分類,別弄混淆。

外因:溶劑,溫度(低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰,如dmf的)

7樓:匿名使用者

1、凡是影響遮蔽常數δ(電子雲密度)的因素都可以影響化學位移,即影響nmr吸收峰的位置。

2、誘導效應:分子與高電負性基團相連,分子電子雲密度下降(δ下降)產生共振所需磁場強度小吸收峰向低場移動。

3、共軛效應:使電子雲密度平均化,可以使吸收峰向高或低場移動。

核磁共振波譜分析法答案 什麼是化學位移,影響化學位移的因素有哪些

化學位移的計算方法

8樓:影

待測物中加一標準物質(如tms),分別測定待測物和標準物的吸收頻率nx和ns,以下式來表示化學位移d:化學位移(d)=(訊號位置-tms峰的位置)x106/核磁共振所用儀器的頻率mhz,用ppm單位表示化學位移與儀器的頻率無關。

何謂化學位移?它有什麼重要性

9樓:匿名使用者

定義:由於有機分子中各種質子受到不同程度的遮蔽效應,因此在核磁共振譜的不同位置上出現吸收峰。

某一物質吸收峰的位置與標準質子吸收峰位置之間的差異稱為該物質的化學位移(chemical shift),常以δ表示。

重要性:這是用來推測分子結構的重要引數。不同的官能團在相同的頻率下對應的有不同的化學位移數,但是化學位移的差別約為百萬分之十,精確測量十分困難,現採用相對數值。以四甲基矽(tms)為標準物質,規定:

它的化學位移為零,然後,根據其它吸收峰與零點的相對距離來確定它們的化學位移值。然後根據譜圖便可以推測分子結構了。

10樓:33啊鵬

電子移動,電池那一塊的內容,陰極反應物的電子移動到陽極,這時候陰極融化到電解質裡面,變為離子。

陽極得到電子,電解液中的離子得到電子成為金屬附到陽極表面。

重要性就是,懂了這個,就懂了電池的工作原理。

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