1樓：
完全純淨的半導體稱為本徵半導體或i型半導體。矽和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。
1．半導體中的兩種載流子—自由電子和空穴
在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度公升高（例如室溫300ok）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴，如圖2—3（a）所示。空穴是半導體中特有的一種粒子。
它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。
由於空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉移到臨近的共價鍵中去，而後，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續下去，就相當於空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。
在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由於電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。
2樓：
所謂半導體，顧名思義，就是它的導電能力介乎導體和絕緣體之間。用得最多的半導體是鍺和矽，都是四價元素。將鍺或矽材料提純後形成的完全純淨、具有晶體結構的半導體就是本徵半導體。
半導體的導電能力在不同條件下有很大差別。一般來說，本徵半導體相鄰原子間存在穩固的共價鍵，導電能力並不強。但有些半導體在溫度增高、受光照等條件下，導電能力會大大增強，利用這種特性可製造熱敏電阻、光敏電阻等器件。
更重要的是，在本徵半導體中摻入微量雜質後，其導電能力就可增加幾十萬乃至幾百萬倍，利用這種特性就可製造二極體、三極體等半導體器件。
半導體的這種與導體和絕緣體截然不同的導電特性是由它的內部結構和導電機理決定的。在半導體共價鍵結構中，價電子（原子的最外層電子）不像在絕緣體（8價元素）中那樣被束縛得很緊，在獲得一定能量（溫度增高、受光照等）後，即可擺脫原子核的束縛（電子受到激發），成為自由電子，同時共價鍵中留下的空位稱為空穴。
在外電場的作用下，半導體中將出現兩部分電流：一是自由電子作定向運動形成的電子電流，一是仍被原子核束縛的價電子（不是自由電子）遞補空穴形成的空穴電流。也就是說，在半導體中存在自由電子和空穴兩種載流子，這是半導體和金屬在導電機理上的本質區別。
本徵半導體中的自由電子和空穴總是成對出現，同時又不斷復合，在一定溫度下達到動態平衡，載流子便維持一定數目。溫度愈高，載流子數目愈多，導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件效能的影響很大。
3樓：濮桖楓
將鍺或矽材料等半導體材料提純後形成的完全純淨、具有晶體結構的半導體就是本徵半導體。
什麼本徵半導體？什麼是雜質半導體？它們各有什麼特徵
4樓：檢曼辭
本徵半導體：完全不含雜質且無晶格缺陷的純淨半導體稱為本徵半導體。
本徵半導體一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純淨半導體。完全純淨的、不含雜質的半導體稱為本徵半導體。
雜質半導體：本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。
現在的初中數學比之前的更簡單了還是更難了的話題一直都有所討論，我來談談自己的幾點認識和看法：
從內容上來看，之前初中數學課本中的很多內容都被取消了或改為選學的內容，像乘法公式中的立方差和立方和公式，三角函式中的餘切，相似中的射影定理，圓中的相交弦定理、切割線定理、圓和圓的位置關係等，這些內容基本上在現在的初中課本上都消失了。但在之前的課本上是必須的內容，也是考點，在中考的試卷中經常會考查到。
隨著課程改革，素質教育的推進，數學的教材、考點也也有了一些改變，很多的內容被精簡了，考查的方向、重難點、能力素養也有了一些改變。
現在初中數學與之前變簡單了嗎？
我看未必，雖然說之前的一些內容現在不學了，看似內容精簡了，但基本的框架未變，現在的試卷難度與之前的試卷相比，更加靈活多變，側重對學生的綜合能力和素質的考查，數學題更與實際問題結合，對知識遷移和靈活運用有了更高的要求，因此學習和考試的難度是不降反增的，翻看試卷就可以窺探一二。
陝西省2003年試卷
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