有關記憶體的知識

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2樓：騰飛西華

內存在電腦中起著舉足輕重的作用。記憶體一般採用半導體儲存單元，包括隨機儲存器（ram），唯讀儲存器（rom），以及快取記憶體（cache）。只不過因為ram是其中最重要的儲存器。

通常所說的記憶體即指電腦系統中的ram。ram要求每時每刻都不斷地供電，否則資料會丟失。

如果在關閉電源以後ram中的資料也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處於上一次關機的狀態，而不必每次都重新啟動電腦，重新開啟應用程式了。但是ram要求不斷的電源**，那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步，人們想到了乙個辦法，即給ram**少量的電源保持ram的資料不丟失，這就是電腦的休眠功能，特別在win2000裡這個功能得到了很好的應用，休眠時電源處於連線狀態，但是耗費少量的電能。

按記憶體條的介面形式，常見記憶體條有兩種：單列直插記憶體條（simm），和雙列直插記憶體條（dimm）。simm記憶體條分為30線，72線兩種。

dimm記憶體條與simm記憶體條相比引腳增加到168線。dimm可單條使用，不同容量可混合使用，simm必須成對使用。

按記憶體的工作方式，記憶體又有fpa edo dram和sdram（同步動態ram）等形式。

fpa（fast page mode）ram 快速頁面模式隨機訪問儲存器：這是較早的電腦系統普通使用的記憶體，它每個三個時鐘脈衝週期傳送一次資料。

edo（extended data out）ram 擴充套件資料輸出隨機訪問儲存器：edo記憶體取消了主機板與記憶體兩個儲存週期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈衝週期輸出一次資料，大大地縮短了訪問時間，是儲存速度提高30%。edo一般是72腳，edo記憶體已經被sdram所取代。

s（sysnecronous）dram 同步動態隨機訪問儲存器：sdram為168腳，這是目前pentium及以上機型使用的記憶體。sdram將cpu與ram通過乙個相同的時鐘鎖在一起，使cpu和ram能夠共享乙個時鐘週期，以相同的速度同步工作，每乙個時鐘脈衝的上公升沿便開始傳遞資料，速度比edo記憶體提高50%。

ddr（double data rage）ram ：sdram的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上公升沿和下降沿傳輸資料，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高sdram的速度。

rdram（rambus dram）儲存器匯流排式動態隨機訪問儲存器；rdram是rambus公司開發的具有系統頻寬，晶元到晶元介面設計的新型dram，他能在很高的頻率範圍內通過乙個簡單的匯流排傳輸資料。他同時使用低電壓訊號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸資料。intel將在其820晶元組產品中加入對rdram的支援。

記憶體的引數主要有兩個：儲存容量和訪問時間。儲存容量越大，電腦能記憶的資訊越多。

訪問時間則以納秒（ns）為單位來計算。一納秒等於10^9秒。數字越小，表明記憶體的訪問速度越快。

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