1樓：
ab端只要有乙個低電平就將基極電流引向輸入端，vt1的ic沒有電流。
只有ab為高電平，vt1的所有發射結截止，因為此時基極電流順集電結的pn極流向vt2、vt4的兩個pn結，使vt1集電極電壓為1.4v，所以1v電壓不足以讓vt2、vt4的兩個pn結導通。
又因為vt1的集電極為1.4v，其基極電位也被鉗在2.1v，因為ab的高電平一般高於3v，所以vt1的發射結截止。
如果不加vd3，處於飽和狀態下的vt2集電極電壓有可能是1v，還有可能使vt3導通，但加了vd3後，要想使vd3導通的電壓至少要在1.7v以上（低電平按0.3v算）。
2樓：東霞佛弼
多發射極電晶體一般用作為ttl電路中的第乙個管子，它有兩種重要的作用：
（1）提高電路速度：因為當電路由開態轉變為關態時，多發射極電晶體即首先進入過飽和狀態，然後才驅使其後面的電晶體截止，故多發射極電晶體具有抽出它後面的電晶體基區中過量儲存電荷的作用，多個發射極，這種抽出作用更大，從而可提高電路的開關速度，這也是ttl電路開關速度較高的乙個重要原因。
（2）提高整合度：因為乙個多發射極電晶體實際上也就起著幾個電晶體的作用（用以實現與非門的功能），所以在高速積體電路中，有利於提高整合度。
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