SLC,MLC和TLC晶元三者的區別

時間 2022-04-12 01:50:20

1樓:匿名使用者

slc、mlc和tlc

x3(3-bit-per-cell)架構的tlc晶元技術是mlc和tlc技術的延伸,最早期nand flash技術架構是slc(single-level cell),原理是在1個儲存器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到mlc(multi-level cell)技術接棒後,架構演進為1個儲存器儲存單元存放2位元。

2009年tlc架構正式問世,代表1個儲存器儲存單元可存放3位元,成本進一步大幅降低。

如同上一波slc技術轉mlc技術趨勢般,這次也是由nand flash大廠東芝(toshiba)引發戰火,之後三星電子(samsung electronics)也趕緊加入戰局,使得整個tlc技術大量被量產且應用在終端產品上。

tlc晶元雖然儲存容量變大,成本低廉許多,但因為效能也大打折扣,因此僅能用在低階的nand flash相關產品上,象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microsd或隨身碟等。

2樓:啃芝士

固態硬碟的slc mlc tlc qlc有啥區別?3d nand又是啥?

固態硬碟ssd的slc與mlc和tlc三者的區別

3樓:啃芝士

固態硬碟的slc mlc tlc qlc有啥區別?3d nand又是啥?

slc,mlc和tlc三者的區別

4樓:紙墨成殤

slc、mlc和tlc三者是快閃儲存器的不同型別,三者區別如下:

1、slc = single-level cell ,即1bit/cell,速度快壽命長,**貴(約mlc的3倍以上的**),約10萬次擦寫壽命。

2、mlc = multi-level cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,**一般,約3000—10000次擦寫壽命。

3、tlc = trinary-level cell,即3bit/cell,也有flash廠家叫8lc,速度慢壽命短,**便宜,約500次擦寫壽命,目前還沒有廠家能做到1000次。

擴充套件資料

快閃儲存器與硬碟相比所具備的優點:

1、快閃儲存器的體積小。快閃儲存器的整合度比硬碟高,硬碟做的這麼大一塊主要原因,就是硬碟不能做的小過快閃儲存器,相比較快閃儲存器來說,硬碟的整合度不高。

2、相對於硬碟來說快閃儲存器結構不怕震,更抗摔。硬碟最怕的就是強烈震動,雖然我們使用的時候可以很小心,但老虎也有打盹的時候,不怕一萬就怕萬一。

3、快閃儲存器可以提供更快的資料讀取速度,硬碟則受到轉速的限制。

4、快閃儲存器儲存資料更加安全,硬碟的寫入是靠磁性來寫入,快閃儲存器則採用電壓,資料不會因為時間而消除。

5樓:啃芝士

固態硬碟的slc mlc tlc qlc有啥區別?3d nand又是啥?

6樓:

slc mlc tlc?——固態硬碟快閃儲存器種類介紹_電子速談[超清版]

7樓:熱過火啊

三種顆粒不同,主要在於壽命。迴圈次數不同,slc最多,其次mlc 最次tlc。目前mlc基本買不到。企業級固態mlc起步,軍用的都是slc。家用基本tlc。

不懂繼續問,滿意請採納

8樓:用u戶名

slc/mlc/tlc的區別:就是乙份電晶體資源,存放單份資料、雙份資料、還是三分資料的區別。

三者成本:4:2:1。

三者壽命:100:10:1。

三者寫入速度:4:2:1。

三者寫入延遲:1:2:4。

除了**外,都是slc最好、mlc適中、tlc渣渣。

9樓:霸7威武

x3(3-bit-per-cell)架構的tlc晶元技術是mlc和tlc技術的延伸,最早期nand flash技術架構是slc(single-level cell),原理是在1個儲存器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到mlc(multi-level cell)技術接棒後,架構演進為1個儲存器儲存單元存放2位元。

2009年tlc架構正式問世,代表1個儲存器儲存單元可存放3位元,成本進一步大幅降低。

如同上一波slc技術轉mlc技術趨勢般,這次也是由nand flash大廠東芝(toshiba)引發戰火,之後三星電子(samsung electronics)也趕緊加入戰局,使得整個tlc技術大量被量產且應用在終端產品上。

tlc晶元雖然儲存容量變大,成本低廉許多,但因為效能也大打折扣,因此僅能用在低階的nand flash相關產品上,象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microsd或隨身碟等。

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