1樓：gta小雞
最本質的區別：i/o控制器相比ddr3頻率進一步翻倍，達到16bit預取，因此核心頻率相等的情況下，ddr4的等效頻率是ddr3的兩倍。
其他區別：採用更標準規範，電壓進一步降低，顆粒容量和整條容量更大，引進nvdimm等新技術等。
ddr4與ddr3有什麼區別
2樓：匿名使用者
【概括而言，區別如下】：
1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.ddr4記憶體頻率提公升明顯，可達4266mhz
3.ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，ddr4記憶體的工作頻率將從2133mhz 起跳，最高甚至可以達到4266mhz。這個頻率相比ddr3 記憶體有相當大的提公升。在電壓方面，ddr3 記憶體的工作電壓為1.
5v，而ddr4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2v。
二、傳輸機制
相對於ddr3，ddr4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援single-endedsignaling訊號( 傳統se訊號)外，還引入了differentialsignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於ddr3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在ddr4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是ddr4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應乙個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
ddr4記憶體採用3ds封裝技術，3ds（3-dimensional stack，三維堆疊）技術是ddr4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶元的容量。在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
ddr3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而ddr4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。
ddr4與ddr3有什麼區別？
3樓：匿名使用者
【概括而言，區別如下】：
1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.ddr4記憶體頻率提公升明顯，可達4266mhz
3.ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，ddr4記憶體的工作頻率將從2133mhz 起跳，最高甚至可以達到4266mhz。這個頻率相比ddr3 記憶體有相當大的提公升。在電壓方面，ddr3 記憶體的工作電壓為1.
5v，而ddr4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2v。
二、傳輸機制
相對於ddr3，ddr4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援single-endedsignaling訊號( 傳統se訊號)外，還引入了differentialsignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於ddr3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在ddr4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是ddr4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應乙個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
ddr4記憶體採用3ds封裝技術，3ds（3-dimensional stack，三維堆疊）技術是ddr4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶元的容量。在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
ddr3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而ddr4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。
4樓：野曉蘭稽鶴
記憶體代數
頻率不一樣
不能混用
以特科芯芯鋒騎士記憶體舉例：ddr3
3代記憶體
頻率一般為1333
ddr4
4代頻率一般為2133
ddr3和ddr4的記憶體條有什麼區別？
5樓：匿名使用者
ddr4記憶體是新一代的記憶體規格，和ddr3相比最大區別有三點：
1、16bit預取機制（ddr3為8bit），也就說同樣工作頻率下理論速度是ddr3的兩倍；
2、更加可靠的傳輸規範，也就是資料可靠性提高；
3、工作電壓降為1.2v，更節能，發熱量降低。
對使用者而言，16bit預取機制是最大的體現，可以提高速度。但支援ddr4記憶體的主機板和cpu目前**還高，而且在更新換代的今天，公升級其實也是願望而已，就算目前買了ddr4，到時候可能會因為頻率上的公升級，導致目前購買的ddr4到時候成為雞肋。比如當時的ddr3 800用到目前的ddr3 1600上，你會如何取捨。
個人覺得沒必要考慮公升級這麼多，目前ddr3與ddr4差價，足夠以後添置容量更大速度更快的記憶體了。
記憶體ddr3和ddr4在實際使用中差別大嗎？
6樓：匿名使用者
記憶體ddr3和ddr4的實際使用差距不大，主要是在記憶體引數和處理器來體現。
一：記憶體引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
預設頻率ddr4 2133 cl15。ddr4 2133頻率下頻寬測試：48.
4gb/s
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提公升重要性。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
二：處理器
每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。
haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr記憶體全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr sdram最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了amd、via與sis等主要晶元組廠商的支援。它是sdram 的公升級版本，因此也稱為「sdram ii」。
ddr是21世紀初主流記憶體規範，各大晶元組廠商的主流產品全部是支援它的。ddr全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr的標稱和sdram一樣採用頻率。
截至2017年，ddr執行頻率主要有100mhz、133mhz、166mhz三種，由於ddr記憶體具有雙倍速率傳輸資料的特性，因此在ddr記憶體的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是ddr200、ddr266、ddr333和ddr400，一些記憶體生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的ddr記憶體。
其最重要的改變是在介面資料傳輸上，他在時鐘訊號的上公升沿與下降沿均可進行資料處理，使資料傳輸率達到sdr(single data rate)sdram 的2倍。至於定址與控制訊號則與sdram相同，僅在時鐘上公升沿傳送。
ddr3和ddr4記憶體條有什麼區別？
7樓：魏旎貝炫
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每乙個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
ddr4與ddr3記憶體差異四：容量和電壓
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶元512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
8樓：百小度
ddr4 模組上的卡槽與 ddr3 模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位於插入側，但 ddr4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不相容的主機板或平台中。
ddr3的工作電壓是1.5v，而ddr4是1.2v，並且能源節省高達40%。
ddr3的最高速率為2133mt/s ，ddr4的資料傳輸率也從2133mt/s起跳，最高速率在2013年的標準中暫定為4266mt/s。
相較於ddr3，ddr4理論上每根dimm模組能達到512gib的容量，而ddr3每個dimm模組的理論最大容量僅128gib。
在anandtech的獨立測試中， ddr4的效能比ddr3略好，但差距很小。
ddr3和ddr4記憶體的區別是什麼
回答.規格不同 ddr3記憶體的起始頻率僅有800mhz，最高頻率可達2133mhz。而ddr4記憶體的起始頻率就有2133mhz，最高頻率可達3000mhz。更高頻率的ddr4內存在各個方面的表現和ddr3記憶體相比有著顯著的提公升，ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps的頻寬，那麼ddr4...
在記憶體條上是DDR4好還是DDR3好
ddr4當然比ddr3要好啊。畢竟新一代ddr4記憶體效能有了大幅度提公升，記憶體頻率提公升可達4266mhz，容量提公升可達128gb，ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v甚至更低，最關鍵是 差不多。同樣 當然選擇效能更好的了。當然，選擇ddr4的首要條件是你的主機板支援，因為ddr4的插槽介面...
金士頓ddr4和ddr3的區別，金士頓ddr3和ddr4的區別
回答.規格不同 ddr3記憶體的起始頻率僅有800mhz，最高頻率可達2133mhz。而ddr4記憶體的起始頻率就有2133mhz，最高頻率可達3000mhz。更高頻率的ddr4內存在各個方面的表現和ddr3記憶體相比有著顯著的提公升，ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps的頻寬，那麼ddr4...
ddr4與ddr3之間原理與設計上有什麼區別嗎
概括而言，區別如下 1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀 2.ddr4記憶體頻率提公升明顯，可達4266mhz 3.ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb 4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v 甚至更低 詳細區別包括以下5方面 一 頻率和電壓 在頻率方面，ddr4記憶體的工...
關於ddr3記憶體和ddr2記憶體，關於DDR3記憶體和DDR2記憶體
配兩根比較好。在說明原因前先解釋一下。雙通道，就是在北橋 又稱之為mch 晶元級裡設計兩個記憶體控制器，這兩個記憶體控制器可相互獨立工作，每個控制器控制乙個記憶體通道。在這兩個記憶體通cpu可分別定址 讀取資料，從而使記憶體的頻寬增加一倍，資料訪問速度也相應增加一倍 理論上 目前流行的雙通道記憶體構...