1樓：匿名使用者
三極體在放大和開關時怎麼設定基極偏執電阻？ 放大和開關的設計是如何定義的/三極體基極和發射極之間就是乙個正向的pn結，不論是開關還是放大，管子都是
pn結是什麼
什麼是pn結的偏置？正向偏置？反向偏置？
2樓：遠巨集
乙個pn結就是二級管，正向偏置就是萬用表測兩次，其中一次電阻較小的是正向偏置，反之就是反向偏置。
1、當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。 在電子電路中，將二極體的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極體就會導通，這種連線方式，稱為正向偏置。
2、與正向偏置相比，交換電源的正、負極位置，即p區接電源負極，n區接電源正極，就構成了pn結的反向偏置。
3樓：澹臺訪夢穰洲
p端所加電壓比n端高且要高與死區電壓則為正向偏置,n端所加電壓比p端高,在保證不擊穿的情況下為反向偏置,單向導電為只有正向偏置的時候導通!
什麼叫做pn結正偏,什麼叫做pn結反偏?
4樓：科學普及交流
pn結正偏時（ 導通 ），反偏時（ 截止 ），所以pn結具有單向導電性。
pn結最主要的特性是什麼？
5樓：周老師的知識屋
pn結有三個特性：
1、正嚮導通，反向截止！當正向電壓達到一定值時（矽管0.7v，鍺管0.3v）左右時，電流隨電壓成指數變化。與電阻相比它是具有非線性特性的，因此它的特性曲線一般是非線性的.
2、有兩種載流子，即電子和空穴。
3、受溫度影響比較大，因為溫度變化影響載流子的運動速度以及本徵激發的程度，因此設計或者運用時常需要考慮溫度問題。
什麼是pn結？
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
p是positive的縮寫，n是negative的縮寫，
表明正荷子與負荷子起作用的特點。
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱為pn結。
pn結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導電性。
6樓：匿名使用者
pn結採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體製作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。 pn結（pn junction） 一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。
pn結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。
製造異質結通常採用外延生長法。 在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。
n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。
因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單嚮導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒毀。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。 pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成乙個電容性的器件。
它的電容量隨外加電壓改變。 根據pn結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。
使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體雷射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個 pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。
pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。
7樓：
1、正嚮導通，反向截止！當正向電壓達到一定值時（矽管0.7v，鍺管0.3v）左右時，電流隨電壓成指數變化。與電阻相比它是具有非線性特性的，因此它的特性曲線一般是非線性的.
2、有兩種載流子，即電子和空穴。
3、受溫度影響比較大，因為溫度變化影響載流子的運動速度以及本徵激發的程度，因此設計或者運用時常需要考慮溫度問題。
什麼是偏執型人格？
8樓：zhurenyan水瓶
偏執型人格，是人格障礙的一種。這類人表現固執，敏感多疑，過分警覺，心胸狹隘，好嫉妒，自我評價過高，體驗到自己過分重要，傾向推諉客觀，拒絕接受批評，對挫折和失敗過分敏感，如受到質疑則出現爭論，詭辯，甚至衝動攻擊和好鬥，常有某些超價觀念和不安全、不愉快、缺乏幽默感。
這類人經常處於戒備和緊張狀態之中，尋找懷疑偏見的根據，對他人的中性或善意的動作歪曲而採取敵意和藐視，對事態的前後關係缺乏正確評價，容易發生病理性嫉妒。
形成原因
形成偏執型人格障礙的原因一般與遺傳環境和自我修養有關，主要的是乙個人所處的環境對形成偏執型人格障礙起決定性作用。
兒童時期不幸的家庭和社會環境，如小孩常常受到嚴厲的斥責，致使與家庭成員及其他人在感情上的疏遠，感情交往當中不能得到有效的反饋，發展成一種對整個世界都不信任的一種觀點。
這種不信人的觀點更加深對於別人的疏遠，疏遠又導致不信任的惡性迴圈，總把別人看成是問題的根源，喜歡怨天尤人。
9樓：談天說地聊社會
偏執型人格又叫妄想型人格。其行為特點常常表現為：極度的感覺過敏，對侮辱和傷害耿耿於懷；思想行為固執死板，敏感多疑、心胸狹隘；愛嫉妒，對別人獲得成就或榮譽感到緊張不安，妒火中燒，不是尋釁爭吵，就是在背後說風涼話，或公開抱怨和指責別人，持這種人格的人在家不能和睦，在外不能與朋友、同事相處融洽，別人只好對他敬而遠之。
為了便於診斷，《中國精神疾病分類方案與診斷標準》(ccmd一2一r)中將偏執型人格的特徵描述為：
1.廣泛猜疑，常將他人無意的、非惡意的甚至友好的行為誤解為敵意或歧視，或無足夠根據，懷疑會被人利用或傷害，因此過分警惕與防衛。
2.將周圍事物解釋為不符合實際情況的「陰謀」，並可成為超價觀念。
3.易產生病態嫉妒。
4.過分自負，若有挫折或失敗則歸咎於人，總認為自己正確。
5.好嫉恨別人，對他人道錯不能寬容。
6.脫離實際地好爭辯與敵對，固執地追求個人不夠合理的「權利」或利益。
7.忽視或不相信與患者想法不相符合的客觀證據。因而很難以說理或事實來改變患者的想法。
患者的症狀至少要符合上述專案中的三項，方可診斷為偏執型人格障礙。
10樓：麻柸景
回答偏執型人格，是人格障礙的一種。這類人表現固執，敏感多疑，過分警覺，心胸狹隘，好嫉妒，自我評價過高，體驗到自己過分重要，傾向推諉客觀，拒絕接受批評，對挫折和失敗過分敏感，如受到質疑則出現爭論，詭辯，甚至衝動攻擊和好鬥，常有某些超價觀念和不安全、不愉快、缺乏幽默感。
這類人經常處於戒備和緊張狀態之中，尋找懷疑偏見的根據，對他人的中性或善意的動作歪曲而採取敵意和藐視，對事態的前後關係缺乏正確評價，容易發生病理性嫉妒。
11樓：鎖鎖丶無敵丶
攻擊性人格障礙是一種在行為山和情緒上有明顯衝動性的人格障礙，患者很難控制自己的情緒和行為，容易做出過激的行為。
1在情緒上容易急躁易怒，有一種存在無法自控的衝動和驅動力。2在性格上經常表現出向外攻擊、魯莽和盲動性。3、有一種衝動的動機形成這可以說潛意識的也可以是無意識的。
4、行為上的行動反覆無常，行動之前有強烈的緊張感，行動之後體驗到愉快、滿足或放鬆感，無真正的悔恨、自夷或罪惡感偏執型人格，自命不凡，對自己的能力估計過高，慣於把失敗和責任歸咎於他人，同時又很自卑，總是過多過高的要求別人，但從來不信任別人的動機和願望，認為別人存心不良，不能正確客觀地分析形勢，有問題易從個人的感情出發，主觀片面性大，這種人格障礙的人在我們周圍有許多，應注意辨別。
什麼是pn結以及它的基本特徵
12樓：醉意撩人殤
1、採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結。
2、pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
pn結是由乙個n型摻雜區和乙個p型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成n型半導體，另一邊形成p型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為pn結。
13樓：匿名使用者
pn結是半導體管的組成部分。製造半導體管時，採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區，稱為pn結。pn結具有單向導電性，是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
PN結工作原理是什麼，pn結的工作原理？詳解
什麼是pn結？為什麼只能單嚮導通？太陽能電池的發電原理 下 最通俗來講pn結起到阻礙載流子擴散作用 廣西都安拉烈 pn結的工作原理？詳解 pn結的形成 pn結是由乙個n型摻雜區和乙個p型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成n型半導體，另一...
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