1樓：電子創客營
一般微控制器資料手測上會有引數要求。但是也可以看你使用的是什麼微控制器根據經驗來判斷。51微控制器使用11.0592mhz 和12mhz多點。stm32使用8mhz多點。
2樓：可愛的那麼快
一般微控制器的晶振電容的容量選擇，官方的晶元資料裡都會有些
3樓：唐建文
看你微控制器吧。比如說51微控制器你為了定時時間方便計算那就12m晶振，如果為了串列埠通訊的話那還是11.0592m吧。
我實際用12m會出現亂碼。 stm32的話為了倍頻方便，最好經典使用8m。 m級別的晶振，電容的話我一般經典使用22pf。
k級別，比如實時時鐘晶振，32.768k我就用的6pf。
4樓：匿名使用者
為了電路的穩定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減諧波對電路的穩定性的影響，所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什麼普遍意義上的計算公式，不同晶元的要求不同
1、因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
2、在許可範圍內，c1、c2值越低越好。c值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增加起振時間，比較常用的為15p-30p之間。最好按照所提供的資料來，如果沒有，一般是30pf左右。
太小了不容易起振。
51微控制器晶振上接的電容如何選擇
5樓：匿名使用者
正規的晶體都有負載電容引數cl，也叫做cload，負載電容值等於兩個電容的串聯值。
6樓：樹熙華
其實這兩個電容沒人能夠解釋清楚到底怎麼選值，因為22pf實在是太小了。
這個要說只能說和內部的振盪電路自身特性有關係，搭配使用，用來校正波形，沒有人去深究它到底為什麼就是這麼大的值。
7樓：一萬光年
12mhz晶振一般選擇20p，就可以了
8樓：九頂冒陽山
cl=[cd*cg/(cd+cg)]+cic+△ccd，cg：分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般情況下 cd == cg，但 cd ！= cg 也是可以的，cd、cg稱作匹配電容或外接電容，其作用就是調節負載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是cd、cg串聯後的總電容值（cd*cg/(cd+cg)）才是有效的負載電容部分，假設cd==cg==30pf，那麼cd、cg對負載電容的貢獻是15pf。
cic：晶元引腳分布電容以及晶元內部電容（部分晶元為了在pcb上省掉cd、cg，會在晶元內部整合電容）。
△c：pcb走線分布電容，經驗值為3至5pf。
9樓：
一般取22到30皮法
51微控制器晶振上接的電容大小該如何選擇
10樓：匿名使用者
你看看微控制器的pdf檔案就知道了，一般在微控制器的晶振部分的說明上面就寫上了電容的大小。而且還需要知道你自己以後做板子是做貼片的還是直插的，有些電容大小的器件是沒有的
11樓：匿名使用者
晶振越大電容越小，2-25m用〈=47pf，26-43m用〈=10pf，晶振大於10m時一般要配電阻，4，7k左右
6m和12m都用20pf的就可以
12樓：向天致信
bai一般用的是15p和30p，晶振大小
du影響不zhi
大。51微控制器是對所有相容daointel 8031指令系統的單片回機的統稱答。該系列微控制器的始祖是intel的8031微控制器，後來隨著flash rom技術的發展，8031微控制器取得了長足的進展，成為應用最廣泛的8位微控制器之一，其代表型號是atmel公司的at89系列，它廣泛應用於工業測控系統之中。
常用的4m和12m，以及11.0592m和20m，24m，都用的30p，微控制器內部有相應的整形電路。
51微控制器是基礎入門的乙個微控制器，還是應用最廣泛的一種。需要注意的是52系列的微控制器一般不具備自程式設計能力。
13樓：南窗倚
20p--30p的就可以了。這個沒有什麼好說的。我做了好多板子了。就 是這麼上的。沒有出現過任何問題。
51微控制器晶振電路的兩個電容的值選大了會怎樣
14樓：禎國慶楠之駿
晶振上電啟動後會**產生脈動波形，相當於提供給微控制器的大動脈。但伴隨著往往有偕波參雜在主波形中,影響微控制器的工作穩定性。起振電容的作用就是要將這些偕波濾掉，濾到**呢？
最好就是濾到地去了，故接地就是引導雜波到地。
51微控制器連著晶振的兩個電容的容值應該怎樣選擇，如果容值選大了，會出現什麼後果？
15樓：雨韻冰寒
在**電路中，相連的電容因該是耦合電容，這個容值要是太大，就會造成容抗這增加，這樣訊號源通過會被大幅度消減或者壓根就過不去，會影響到整個電路的執行。
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