1樓：未來大空拑
可以測試一下hall,晶向得話首先要知道是那個面矽片,其次是更具切邊得解理面,就確定了三維座標,如果不知道矽面得晶向,可以做乙個xrd掃瞄
【請教】如何切割矽片？
2樓：壬濁牡骯
洛陽學子(站內聯絡ta)線切割就可以的wachonglong(站內聯絡ta)使用金剛石樹脂超薄切割片solgeltech(站內聯絡ta)估計不很好切 不過可以問問賣矽片的 或者直接買一寸（2.5cm直徑）矽片
請教，單晶p型電池片與n型電池片的生產工藝有何不同
3樓：媽咪說
什麼是半導體？n型p型有啥區別？太陽能電池原理（上）
p型和n型單晶矽片的區別？
4樓：美膩小廚娘
p型和n型單晶矽片的區別主要有以下三點：
1、導電不同：n型是電子導電，p型是空穴導電。
2、摻雜的東西不同：單晶矽中摻磷是n型，單晶矽中摻硼為p型。
3、效能不同：n型摻磷越多則自由電子越多，導電能力越強，電阻率就越低。p型摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。
1、單晶矽可以用於二極體級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工製造，其後續產品積體電路和半導體分離器件已廣泛應用於各個領域，在軍事電子裝置中也占有重要地位。
2、單晶矽可算得上是世界上最純淨的物質了，一般的半導體器件要求矽的純度六個9以上。大規模積體電路的要求更高，矽的純度必須達到九個9。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。
3、單晶矽太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構成和生產工藝已定型，產品已廣泛用於宇宙空間和地面設施。這種太陽電池以高純的單晶矽棒為原料，純度要求99.999%。
5樓：1d路飛
p型和n型的單晶矽片的區別如下：
n型是電子導電，p型是空穴導電。
單晶矽中摻磷是n型，摻磷越多則自由電子越多，導電能力越強，電阻率就越低;
單晶矽中摻硼為p型，摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。
6樓：
n型是電子導電，p型是空穴導電。
單晶矽中摻磷是n型，摻磷越多則自由電子越多，導電能力越強，電阻率就越低;
單晶矽中摻硼為p型，摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。
7樓：青蛙王子不吃蟲
n型是電子導電，p型是空穴導電。
單晶矽中摻磷是n型，摻磷越多則自由電子越多，導電能力越強，電阻率就越低；
單晶矽中摻硼為p型，摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。
8樓：一縷麥香
2分鐘使你真正了解半導體，p型半導體與n型半導體詳解，二極體，0基礎學習電子知識，二極體的內部成分，半導體詳細講解
9樓：橡皮泥香香
在單晶矽片中摻入p元素的是n型矽，摻b的是p型矽
如何判斷化合物是n型半導體還是p型半導體導電？？ 20
10樓：一縷麥香
2分鐘使你真正了解半導體，p型半導體與n型半導體詳解，二極體，0基礎學習電子知識，二極體的內部成分，半導體詳細講解
11樓：匿名使用者
半導體導電型別的測試: hall measurement 或者hot point method
或者理論分析，理論分析上我也有點困惑。對於化合物半導體，到底是什麼載流子，還是得看摻雜型別吧~
12樓：匿名使用者
n型半導體：在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了n型半導體。
多數載流子：n型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。
少數載流子：n型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。
n型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強。
p型半導體：在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，形成p型半導體。
pn結的形成：將p型半導體與n型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交介面就形成pn結。
pn結的特點：具有單向導電性。
半導體摻雜後仍是中性的,判斷它是主要是什麼導電的就行了啊.是電子那就是 n型,空穴就p.
矽片為什麼要切去一邊，切出來的邊叫啥
13樓：人傑鬼雄
確定晶向，切斷面粘接碳棒或者玻璃，安裝於裝置固定。
簡單來說就是確定晶向，以利於將來切割，設計圖形時要考慮這一點，再要問深入一點，就要看看書了。
三極體一般用111面，mos一般110面
這樣做的原因是跟摻雜、腐蝕等後期製作有關，而且，不同晶向的外層電子的活躍性不一樣，勢能也不一樣。
其實早期的矽片並不切邊,但隨著微電子業發始切邊,原因如下:) w2 i: j; `& n$ w% l* m1 s
1, 微電子器件在晶圓上可以做n多個,需切割下來,而單晶矽生長是有晶向要求的,切割沿某一方向好切不亂裂,就是專業上稱的解理面.切邊就告訴您解理方向.
2, 矽片分n型和p型,有規範的切邊還告知您它是n型電特性還是p型電特性,, u$ j2 z/ h" \9 ~- o
3, 現在微電子生產己經自動化,例如光刻的**若沒有切邊定位,那麼掩膜版與晶元圖型會相差180度或某種不定位置,生產效率會很低...,
4, 矽片的用途很多,除了n/p還要有晶向,例如做mems要求腐蝕各向異性會用到<110>等晶向,而mos產品為減小表面態影響要求用<100>晶向...
總之,晶圓的主對準邊和副對準邊的標準組合會告訴用片人它是什麼導電型別和晶向,是個身份標識
希望對你有幫助，望採納
「p型矽」和「n型矽」分別摻雜什麼元素？
14樓：**推薦大師
「p型矽」 硼元素
「n型矽」 磷元素
導電率在10*e-7 ~ 10*e3 之間的材料都稱為半導體，有一些半導體是純元素，如矽，鍺，這構成了半導體的基礎。
純淨的矽更像是絕緣體，而不是導體，當它被施加外部作用時(比如外加電壓)，沒有能力改變其導電狀態。所以必須往矽裡面摻雜其它的元素，現在最重要的兩個元素是----硼b和磷p。
當矽片被摻入硼或磷時，它的導電性就顯著的改變了。通常情況下，乙個純矽片中是沒有自由電子的，它所有的四個價電子都被鎖住在與相鄰矽原子的共價鍵中，由於沒有自由電子，外加電壓幾乎無法導致電子流過矽片。
把磷加入到矽晶元中後，情況將發生改變。與矽不同，磷有五個價電子，而不是四個。其中，四個價電子和相鄰的矽原子的四個價電子形成共價鍵。
但第五個價電子沒有電子結合，將飄浮在原子周圍。如果乙個電壓施加到矽-磷混合物，這個未被束縛電子將穿過摻雜的矽片向電壓的正極移動，向混合特中摻雜的磷越多，產生的電流越大。摻入磷雜質的矽稱為「n型矽」，或「負電荷載流子型矽」。
乙個磷原子加入到矽晶元中提供了乙個未被束縛的電子，增加了電導率。加入了磷元素的矽稱為n型矽。
參考資料
p型矽與n型矽的區別.移動開發[引用時間2017-12-19]
p型單晶和n型單晶混型會有什麼反應？
如何清洗矽片，矽片如何能清洗乾淨請行家指點一下謝謝
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